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10年
企业信息

深圳市得捷芯电子科技有限公司

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营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

企业网站:
http://brs.dzsc.com/

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普通库存(299498)

元器件产品

DMG6898LSDQ-13 DIODES/美台 MOSFET

型号/规格:DMG6898LSDQ-13 品牌/商标:DIODES/美台 封装形式:SOP-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:

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FDC8878 N通道 30 V 8A

型号/规格:FDC8878 品牌/商标:ON(安森美) 封装形式:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 漏源电压(Vdss):30 V 技术:MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id:8A(Ta),8A(Tc) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

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NDS331N 表面贴装型 N 通道 20 V 1.3A(Ta) 500mW(Ta) SOT-23-3

型号/规格:NDS331N 品牌/商标:ON/安森美 封装形式:SOT23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 漏源电压(Vdss):20v 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta) 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 技术:MOSFET(金属氧化物)

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IPL60R299CPAUMA1 功率场效应管 N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:IPL60R299CPAUMA1 品牌/商标:INFINEON 封装形式:NA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:11.1A 漏源电压, Vds:650V 在电阻RDS(上):0.27ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:96W 针脚数:4引脚

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IRFBG20PBF/VISHAY/威世/功率场效应管

型号/规格:IRFBG20PBF 品牌/商标:VISHAY 封装形式:TO-220AB 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:1.3A 漏源电压, Vds:1kV 在电阻RDS(上):11.5ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:50W 针脚数:3引脚

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INFINEON IPD60R450E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:IPD60R450E6ATMA1 品牌/商标:INFINEON 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:9.2A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上:0.41ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:74W 针脚数:3引脚

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VISHAY SIHH26N60E-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:SIHH26N60E-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:25A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):0.117ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:202W 针脚数:8引脚

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU1N60CTU 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:FQU1N60CTU 品牌/商标:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 封装形式:TO-251AA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:1A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):2.8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:28W 针脚数:3引脚

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STMICROELECTRONICS STW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:STW4N150 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:4A 漏源电压, Vds:1.5kV 在电阻RDS(上):7ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:160W 针脚数:3引脚

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STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:STN1HNK60 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:500mA 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:3.3W 针脚数:3引脚

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STMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:STD1NK60T4 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:500mA 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:30W 针脚数:3引脚

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电路保护 > 熔丝座 > 保险丝座 > Littelfuse 178.6164.0001

型号/规格:178.6164.0001 品牌/商标:Littelfuse 环保类别:无铅环保型 电压额定值:80 V 颜色:Black

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Fuji 2MBI400U2B-060-50 N通道 IGBT 模块, 半桥, 400 A 650 V, 7针 M233封装

型号/规格:2MBI400U2B-060-50 品牌/商标:FUJITSU(富士通) 环保类别:无铅环保型 连续集电极电流:400 A 集电极-发射极电压:650 V 栅极发射极电压:±20V 通道类型:N 封装类型:M233 功率耗散:1250 W 尺寸:92 x 45 x 30mm 高度:30mm 长度:92mm 工作温度:+150 °C 宽度:45mm 引脚数目:7

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INFINEON IPP65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 650 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:IPP65R190CFD 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:17.5A 漏源电压, Vds:650V 工作温度值:150°C 原产地:Malaysia

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供应AP60N03S

型号/规格:AP60N03S 品牌/商标:富鼎 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 批号:15+ 数量:4325

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