深圳市得捷芯电子科技有限公司

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INFINEON IPD60R450E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:IPD60R450E6ATMA1 品牌/商标:INFINEON 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:9.2A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上:0.41ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:74W 针脚数:3引脚

INFINEON IPL60R299CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:IPL60R299CPAUMA1 品牌/商标:INFINEON 封装形式:NA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:11.1A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):0.27ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:96W 针脚数:4引脚

VISHAY SIHH26N60E-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:SIHH26N60E-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:25A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):0.117ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:202W 针脚数:8引脚

VISHAY IRFBG20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 1 kV, 11.5 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:IRFBG20PBF 品牌/商标:VISHAY 封装形式:TO-220AB 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:1.3A 漏源电压, Vds:1kV 在电阻RDS(上):11.5ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:50W 针脚数:3引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU1N60CTU 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:FQU1N60CTU 品牌/商标:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 封装形式:TO-251AA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:1A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):2.8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:28W 针脚数:3引脚

STMICROELECTRONICS STW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:STW4N150 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:4A 漏源电压, Vds:1.5kV 在电阻RDS(上):7ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:160W 针脚数:3引脚

STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:STN1HNK60 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:500mA 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:3.3W 针脚数:3引脚

STMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:STD1NK60T4 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:500mA 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:30W 针脚数:3引脚

INFINEON IPP65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 650 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:IPP65R190CFD 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:17.5A 漏源电压, Vds:650V 工作温度值:150°C 原产地:Malaysia

供应AP60N03S

型号/规格:AP60N03S 品牌/商标:富鼎 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 批号:15+ 数量:4325

供应IRF540N

型号/规格:IRF540N 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:50 功率特征:大功率 数量:5000

STMICROELECTRONICS STP5NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V

型号/规格:STP5NK80ZFP 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:4.3A 漏源电压, Vds:800V 在电阻RDS(上):1.9ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3.75V 功耗 Pd:30W 针脚数:3引脚