深圳市得捷芯电子科技有限公司

7年

深圳市得捷芯电子科技有限公司

卖家积分:12001分-13000分营业执照:已审核经营模式:贸易/代理/分销所在地区:广东 深圳企业网站:
http://brs.dzsc.com/

收藏本公司 人气:288035

企业档案

  • 相关证件:营业执照已审核 
  • 会员类型:
  • 会员年限:7年
  • 程云 QQ:2434212700QQ:1845604088
  • 电话:0755-23947658
  • 手机:13530915211
  • 地址:深圳市福田区华强北街道振华路122号海外装饰大厦B座5层562办公室
  • 传真:0755-23947658
  • E-mail:2434212700@qq.com

产品分类

IC芯片(300870)集成电路(IC)(112)电源IC(7)半导体存储器(10)二极管(12)三极管(2)场效应管MOSFET(20)单片机(8)电容器(2)电感器(1)电位器(1)电源/稳压器(14)微调电位器(1)石英晶体器件(9)连接器/接插件(60)开关(27)传感器(29)保险丝(10)放电管(34)变压器(35)继电器(4)放大器(14)印刷线路板(1)电线电缆(3)天线(1)光电子/光纤/激光(3)LED(4)电子管/微波磁控管(1)编码器(1)仪器/仪表(3)五金/工具(2)其他未分类(135)

INFINEON IPD60R450E6ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9.2 A, 600 V, 0.41 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:IPD60R450E6ATMA1 品牌/商标:INFINEON 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:9.2A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上:0.41ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:74W 针脚数:3引脚

INFINEON IPL60R299CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:IPL60R299CPAUMA1 品牌/商标:INFINEON 封装形式:NA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:11.1A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):0.27ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:96W 针脚数:4引脚

VISHAY SIHH26N60E-T1-GE3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 25 A, 600 V, 0.117 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:SIHH26N60E-T1-GE3 品牌/商标:VISHAY 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:25A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):0.117ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:202W 针脚数:8引脚

VISHAY IRFBG20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.3 A, 1 kV, 11.5 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:IRFBG20PBF 品牌/商标:VISHAY 封装形式:TO-220AB 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:1.3A 漏源电压, Vds:1kV 在电阻RDS(上):11.5ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:50W 针脚数:3引脚

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQU1N60CTU 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:FQU1N60CTU 品牌/商标:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 封装形式:TO-251AA 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:1A 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):2.8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:28W 针脚数:3引脚

STMICROELECTRONICS STW4N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 1.5 kV, 7 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:STW4N150 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-247 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:大功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:4A 漏源电压, Vds:1.5kV 在电阻RDS(上):7ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:4V 功耗 Pd:160W 针脚数:3引脚

STMICROELECTRONICS STN1HNK60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:STN1HNK60 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:SOT-223 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:小功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:500mA 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:3.3W 针脚数:3引脚

STMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

型号/规格:STD1NK60T4 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-252 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:500mA 漏源电压, Vds:600V 在电阻RDS(上):8ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3V 功耗 Pd:30W 针脚数:3引脚

电路保护 > 熔丝座 > 保险丝座 > Littelfuse 178.6164.0001

型号/规格:178.6164.0001 品牌/商标:Littelfuse 环保类别:无铅环保型 电压额定值:80 V 颜色:Black

Fuji 2MBI400U2B-060-50 N通道 IGBT 模块, 半桥, 400 A 650 V, 7针 M233封装

型号/规格:2MBI400U2B-060-50 品牌/商标:FUJITSU(富士通) 环保类别:无铅环保型 连续集电极电流:400 A 集电极-发射极电压:650 V 栅极发射极电压:±20V 通道类型:N 封装类型:M233 功率耗散:1250 W 尺寸:92 x 45 x 30mm 高度:30mm 长度:92mm 工作温度:+150 °C 宽度:45mm 引脚数目:7

INFINEON IPP65R190CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 650 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V

型号/规格:IPP65R190CFD 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:管装 功率特征:大功率 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:17.5A 漏源电压, Vds:650V 工作温度值:150°C 原产地:Malaysia

供应AP60N03S

型号/规格:AP60N03S 品牌/商标:富鼎 封装形式:TO-263 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:中功率 批号:15+ 数量:4325

供应IRF540N

型号/规格:IRF540N 品牌/商标:IR 封装形式:TO-220 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:50 功率特征:大功率 数量:5000

供应HGT1S5N120BNS

型号/规格:HGT1S5N120BNS 品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆) 环保类别:无铅环保型 封装:TO-263AB 批号:15+ 数量:3600

供应HGTD1N120BNS

型号/规格:HGTD1N120BNS 品牌/商标:FAIRCHILD(飞兆) 环保类别:无铅环保型 封装:TO-252AA-3 数量:3500 批号:15+

半导体 - 分立器件> 晶体管> MOSFET晶体管> 场效应管MOSFET晶体管(600V以下)

型号/规格:ATP301-TL-H 品牌/商标:ON(安森美) 环保类别:无铅环保型 制造商::ON SEMICONDUCTOR 制造商产品编号::ATP301-TL-H 封装 / 箱体::ATPAK-3 Vds-漏源极击穿电压::- 100 V Id-连续漏极电流::- 28 A Rds On-漏源导通电阻::57 mOhms Vgs - 栅极-源极电压::20 V 工作温度::+ 150 C Pd-功率耗散::70 W

STMICROELECTRONICS STP5NK80ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.3 A, 800 V, 1.9 ohm, 10 V, 3.75 V

型号/规格:STP5NK80ZFP 品牌/商标:STMICROELECTRONICS 封装形式:TO-220FP 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:4.3A 漏源电压, Vds:800V 在电阻RDS(上):1.9ohm 电压 @ Rds测量:10V 阈值电压 Vgs:3.75V 功耗 Pd:30W 针脚数:3引脚

AUIPS1031 - 功率负载分配开关芯片, 低压侧, 1输出, 5.5 V输入, 18 A, 0.04 ohm, TO-220AB-3

型号/规格:AUIPS1031 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 环保类别:无铅环保型 输入电压:5.5V 电流极限:18A 通电阻:0.04ohm 配电开关封装类型:TO-220AB 工作温度值:-40°C 工作温度值:150°C 输出数:1 热保护:是

半导体 - 分立器件> 智能电源模块> IGCM20F60GAXKMA1

型号/规格:IGCM20F60GAXKMA1 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 环保类别:无铅环保型 库存数量:280个 IPM 电源装置:IGBT 额定电压 (Vces / Vdss):600V 电流值 (Ic / Id):20A 隔离电压:2kV IPM 外壳类型:DIP

供应:IRAMS10UP60A - 芯片, 电源模块, 10A 600V

型号/规格:FF600R17ME4BOSA1 品牌/商标:INFINEON(英飞凌) 环保类别:无铅环保型 额定电压:600V 电流值:10A 隔离电压:2kV 库存数量:25