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程先生
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型号/规格:PIC16F18026-I/SL 品牌/商标:MICROCHIP/微芯 封装形式:SOIC-14 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 程序存储器大小:28 kB 数据总线宽度:8 bit ADC分辨率:BV 时钟频率-大:32 MHz 输入/输出端数量:12 I/O 数据 RAM 大小:2 kB DAC分辨率:8 bit 计时器/计数器数量:3
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型号/规格:IXTA86N20X4 品牌/商标:IXYS 封装形式:TO-263-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:管装 功率特征: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):86A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻-大:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)-大:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)-大:70 nC @ 10 V
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型号/规格:IMBG65R022M1HXTMA1 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 技术:SiC 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:64 A Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 23 V Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V
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型号/规格:BSC005N03LS5ATMA1 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:TDSON-8-FL 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:433 A Rds On-漏源导通电阻:630 uOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V Qg-栅极电荷:59 nC
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型号/规格:PSMN4R2-80YSEX 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装形式:SOT-1023-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Ta） 驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）:4.2 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)-大:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)-大:110 nC @ 10 V
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型号/规格:NTH4L022N120M3S 品牌/商标:ON/安森美 封装形式:TO-247-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:直插式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 安装风格:Through Hole 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:1.2 kV Id-连续漏极电流:68 A Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 22 V Vgs th-栅源极阈值电压:4.4 V
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型号/规格:IPDQ60R010S7AXTMA1 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 安装风格:SMD/SMT 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:600 V Id-连续漏极电流:50 A Rds On-漏源导通电阻:10 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4.5 V
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型号/规格:IRLL014TRPBF-BE3 品牌/商标:VISHAY/威世 封装形式:SOT-223-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 安装风格:SMD/SMT 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:2.7 A Rds On-漏源导通电阻:200 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
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型号/规格:BUK9K35-60RAX 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装形式:SOT-1205-8 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:22 A Rds On-漏源导通电阻:35 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V Qg-栅极电荷:7.8 nC
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型号/规格:IRF40DM229 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:- 包装方式:- 功率特征: Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:159 A Rds On-漏源导通电阻:1.4 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V Qg-栅极电荷:161 nC 小工作温度:- 55 C 大工作温度::+ 150 C
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型号/规格:RZE002P02TL 品牌/商标:ROHM（罗姆） 环保类别:无铅环保型 Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:200 mA Rds On-漏源导通电阻:1.2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:1.4 nC 大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 mW :
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型号/规格:BSS215PH6327XTSA1 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:SOT-23-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:表面贴装型 包装方式:卷带编带包装 功率特征: Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:1.5 A Pd-功率耗散:500 mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
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型号/规格:IRLML0060TRPBF 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:SOT-23 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: Vds-漏源极击穿电压::60 V Id-连续漏极电流::2.7 A Rds On-漏源导通电阻::116 mOhms Vgs - 栅极-源极电压::- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压::1V Qg-栅极电荷::2.5 nC Pd-功率耗散::1.25 W 下降时间::4.2 ns
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型号/规格:IPB031N08N5ATMA1 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:TO-263-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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型号/规格:IRL7486MTRPBF 品牌/商标:INFINEON（英飞凌） 封装形式:Reel 环保类别:无铅环保型 安装方式:其他 包装方式:卷带编带包装 功率特征:
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