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10年
企业信息

深圳市得捷芯电子科技有限公司

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营业执照:已审核

经营模式:贸易/代理/分销

所在地区:广东 深圳

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产品分类

普通库存(299498)

元器件产品

电池触点 009155002402006 AVX

型号:009155002402006 产品种类:电池触点 产品:Battery Contacts 电池数量:2 Battery 端接类型:SMD/SMT 颜色:Black 安装风格:PCB Mount 触点电镀:Gold 高度:4 mm 长度:7.7 mm 湿度敏感性:Yes 触点数量:2 Contact 宽度::11 mm 标准包装:1100 单位重量:单位重量

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圆柱电池触点、夹子、座和弹簧 1746092-1 TE

型号:1746092-1 品牌:TE 封装:Tray 标准包装:45 子类别:Battery 单位重量:2.104 g : :

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太阳能板和太阳能电池 BCS2717B6 TDK

型号:BCS2717B6 工作温度-小:- 20 C 工作温度-大:+ 60 C 长度:27 mm 宽度:17 mm 商标:TDK 封装:Bulk 产品:Film Solar Cells 标准包装:350 子类别:Power Voc - 开路电压:4.2 V

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冗余模块 2320160 Phoenix Contact

型号:2320160 安装风格:DIN Rail Mount 输入类型:1-Phase / Single Phase 输出功率:1.92 kW 输入电压:30 VDC to 56 VDC 输出端数量:1 Output 输出电压—通道1:48 VDC 输出电流—通道1:40 A 工业:Industrial 长度:125 mm 宽度:50 mm 高度:130 mm 系列:QUINT-DIODE 商标:Phoenix Contact 工作温度:- 40 C ~ + 70 C

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侧面触动 触摸开关 SPST-NO 边缘安装,直角 EVQ-P44B3M

开关功能:关-瞬时 不同电压时额定接触电流:0.02A @ 15VDC 致动器类型:致动器类型 安装类型:边缘安装,直角 致动器长度,直角:2.10mm 致动器方向:侧面触动 端接样式:SMD(SMT)接片 外形:6.20mm x 2.55mm 照明:不发光 照明类型,颜色:- 操作力:240gf 侵入防护:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 开关行程:0.25mm 机械寿命:500,000 次循环

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MELF电阻器 MMU01020E1000BB300 Vishay

型号:MMU01020E1000BB300 电阻:100 Ohms 功率额定值:300 mW 容差:0.1 % 温度系数:15 PPM / C 工作温度-小:- 55 C 工作温度-大:+ 125 C 电压额定值:150 V 外壳代码 - mm::MELF 0102 直径:1.1 mm 长度:2.2 mm 资格:AEC-Q200 封装:Reel 标准数量:3000 单位重量:8 mg

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UCR03EVPJLR43 电流传感电阻器 ROHM

型号:UCR03EVPJLR43 品牌:ROHM Semiconductor 电阻:43 mOhms 功率额定值:250 mW (1/4 W) 容差:0.5 % 温度系数:200 PPM / C 外壳代码 - in:0603 外壳代码 - mm:1608 工作温度-小:- 55 C 工作温度-大:+ 155 C 技术::Thick Film 终端:2 Terminal 端接类型:端接类型 高度:0.5 mm 长度:1.6 mm

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MTFDKCB1T6TFC-1AZ15ABYY 固态硬盘 - SSD Micron

型号:MTFDKCB1T6TFC-1AZ15ABYY 产品种类:固态硬盘 - SSD 存储容量:1.6 TB 产品:NVMe SSDs 外观尺寸:2.5 in 配置:TLC 3D NAND 接口类型:NVMe, PCIe 小工作温度:0 C 大工作温度:+ 70 C 连续写入:2200 MB/s 连续读取:连续读取 工作电源电压:3.3 V 商标::Micron 产品类型:Solid State Drives - SSD 标准数量:50

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NOR闪存 AT45DB161E-SHFHA-T Dialog Semiconductor

安装风格:SMD/SMT 封装:SOIC-Wide-8 存储容量:16 Mbit 电源电压-小:2.3 V 电源电压-大:3.6 V 接口类型:SPI 时钟频率-大:70 MHz 组织:2 M x 8 数据总线宽度:8 bit 定时类型:Synchronous 工作温度-小:- 40 C 工作温度-大:+ 85 C + 85 C:Reel 结构:Chip Erase

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NOR闪存 AT25PE20-SSHN-T Dialog Semiconductor

型号:AT25PE20-SSHN-T 封装:SOIC-Wide-8 存储类型:Non-Volatile 产品类型:NOR Flash 速度:85 MHz 电源电流—大:15 mA 单位重量:4 g 标准数量:4000

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SI2343DS-T1-BE3 MOSFET VISHAY/威世

技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:3.1 A Rds On-漏源导通电阻:53 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:3 V Qg-栅极电荷:14 nC 工作温度:- 55 C ~+150 C Pd-功率耗散:750 mW 通道模式:Enhancement 单位重量:8 mg

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AFGHL40T120RLD IGBT 晶体管 ON

产品种类:IGBT 晶体管 封装 / 箱体:TO-247-3 商标:onsemi 产品类型:IGBT Transistors

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10127815-24LF 电源到板 安费诺

型号:10127815-24LF 品牌:AMPHENOL/安费诺 电流额定值:9 A 电压额定值:600 V 位置数量:24 Position 节距:4.2 mm 绝缘电阻:1 GOhms 大工作温度::+ 105 C 小工作温度:- 40 C 排数:2 Row 单位重量:5.213 g

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M80-8871005 集管和线壳 Harwin

节距:2 mm 排数:2 Row 行距:2 mm 安装风格:Through Hole 端接类型::Solder Pin 安装角:Straight 小工作温度:- 55 C 大工作温度:+ 125 C 电流额定值:3 A 电压额定值:120 V

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BC847CDW1T1G ON/安森美 双极晶体管

集电极—发射极电压(大) VCEO:45 V 集电极—基极电压 VCBO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO:6 V 集电极—射极饱和电压:600 mV 直流电集电极电流(大):100 mA Pd-功率耗散:380 mW 增益带宽产品fT:100 MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C

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