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会员年限:10年
FET 类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Tc)
发布询价直流电集电极电流:(大)8 A 发射极 - 基极电压 VEBO:10 V Pd-功率耗散:125 W 增益带宽产品fT:7 MHz
发布询价品牌:RENESAS/瑞萨 电压 - 断态:600v 电流 - 通态 (It (RMS)):16A 电压 - 栅极触发 (Vgt):1.5 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):160A @ 60Hz 电流 - 栅极触发 (Igt):30 mA 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 安装类型:通孔
发布询价可编程数据传送率:TI延迟为350纳秒、1.1us和2us 提供所用IEEE:488.1接口功能 0可编程数据传送率:TI延迟为500纳秒1.1us和2us 0:0 1:01
发布询价最大DC电压:5.6V 压敏电压(最小):6.3V 电流-浪涌:30A 电路数:1 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 不同频率时电容:470 pF @ 1 MHz
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