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江小姐 
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产品系列: 附件类型: 规格尺寸: 特性: 包装:5000 应用范围: 型号:2302454-2 位置数量:1 Position 可燃性等级:UL 94 V-0 外壳材料:Thermoplastic (TP) 安装角:Straight :
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产品系列: 附件类型: 规格尺寸: 特性: 包装:72 应用范围: 位置数量:2 Position 节距:10.4 mm 颜色:Orange 可燃性等级:UL 94 HB 安装角:Straight 排数:1 Row 单位重量:23.474 g
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型号/规格:IXTA86N20X4 品牌/商标:IXYS 封装形式:TO-263-3 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:管装 功率特征: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):86A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻-大:13 毫欧 @ 43A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)-大:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)-大:70 nC @ 10 V
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型号/规格:IMBG65R022M1HXTMA1 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:- 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 技术:SiC 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:650 V Id-连续漏极电流:64 A Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 5 V, + 23 V Vgs th-栅源极阈值电压:5.7 V
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型号/规格:BSC005N03LS5ATMA1 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装形式:TDSON-8-FL 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:433 A Rds On-漏源导通电阻:630 uOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V Qg-栅极电荷:59 nC
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型号/规格:T812110A101CEU 品牌/商标:AMPHENOL/安费诺 产品系列: 触点间距: 触点数:10触点 接触终端类型:IDC / IDT 排数:2排 极性:插座 触头形状: 触头材料: 触头表面处理-柱: 触头表面处理厚度-柱: 绝缘材料: 紧固类型: 额定电压: 额定电流: 工作温度范围: 特性: 包装: 应用范围: 产品范围:T812系列 节距:2.54mm
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型号/规格:F-218X 品牌/商标:Triad Magnetics(中英文) 包装方式:多件包装 主要用途: 适用电源类别: 铁芯类型: 频率特征: 导线类型: 安全认证类型: 类型:叠片磁芯 电压 - 初级:115V 电压 - 次级（满负载）:12V 电流 - 输出（大值）:2A 功率 - 大值:24VA :
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型号:S25FL512SAGMFIG11 品牌:CYPRESS 存储容量:512 Mbit 电源电压-小:2.7 V 电源电压-大:3.6 V 接口类型:SPI 大时钟频率:133 MHz 组织:64 M x 8
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型号/规格:S25FL512SAGMFIG11 品牌/商标:Infineon Technologies 封装:16-SOIC 批号:- 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH - NOR 存储存储器接口容量:512Mb（64M x 8） 存储器接口:SPI - 四 I/O 时钟频率:133 MHz 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
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型号/规格:CRM2512-JW-4R7ELF 品牌/商标:BOURNS/伯恩斯 环保类别:无铅环保型 产品主要用途: 功率分类: 精度类别: 外形结构特征: 引出线类型: 包装形式: 电阻:4.7 Ohms 容差:±5% 功率 (W):2W 温度系数:±200ppm/°C 工作温度:-55°C ~ 155°C 特性:电流检测
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型号/规格:IRFI4020H-117PXKMA1 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 封装:TO-220-5 批号:- FET 类型:2 N-通道（双） FET 功能:标准 漏源电压（Vdss）:200V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A（Tc） 不同 Id、Vgs 时导通电阻-大:100 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)-大:4.9V @ 100μA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)-大:29nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss):1240pF @ 25V 功率-大:21W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
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型号/规格:BUK7S2R5-40HJ 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装:LFPAK-88-4 批号:- 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:40 V Id-连续漏极电流:140 A Rds On-漏源导通电阻:2.5 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:4.3 V Qg-栅极电荷:38 nC 工作温度:- 55 C~+ 175 C Pd-功率耗散:135 W 下降时间:11 ns
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型号/规格:PSMN4R2-80YSEX 品牌/商标:NEXPERIA/安世 封装形式:SOT-1023-4 环保类别:无铅环保型 安装方式:贴片式 包装方式:卷带编带包装 功率特征: FET 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:80 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Ta） 驱动电压（大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）:4.2 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)-大:3.6V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)-大:110 nC @ 10 V
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型号/规格:AVB 1,5/2/8 品牌/商标:BLOCK(中英文) 额定功率:1.5VA 隔离变压器初级电压:2 x 115V 次级电压:2 x 8V 额定电流:93mA
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型号/规格:LTM8048IY#PBF 品牌/商标:Analog Devices Inc. 封装:BGA-45 拓扑结构::Flyback 输出电压:1.2 V to 13 V 输出电流:440 mA 输出端数量:2 Output 静态电流:850 uA 开关频率:- 输入电压:3.1 V ~ 32 V 工作温度::- 40 C ~ +125 V 开发套件:DC1560A : 负载调节:1.5 %, 2 mV 湿度敏感性:Yes
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